Новое открытие, сделанное учеными из лаборатории наноэлектроники и наноструктур при Политехническом федеральном институте Лозанны может сыграть важную роль в развитии электроники. Ученые выяснили, что редкоземельный минерал молибденит, MoS2, который применяется в процессе получения сплавов стали или как компонент смазок, является очень эффективным полупроводником. 

По мнению специалистов, переход на новый материал позволяет создавать более компактные и эффективные транзисторы, которые будут обладать высококачественными полупроводниковыми свойствами.

«Это двухмерный материал, очень тонкий и удобный для применения в нанотехнологиях. На его основе можно изготавливать эффективные солнечные батареи, светодиоды и транзисторы» - заявляет профессор Андраш Киш, один из разработчиков нового подхода. По его мнению, молибденит с его открытыми  полезными свойствами может составить конкуренцию кремнию и графену.

Одно из преимуществ молибденита заключается в том, что он  менее объемен, чем кремний, который является трехмерным элементом. «В листе молибденита толщиной 0,65 нанометра электроны могут перемещаться с такой же легкостью, как и в листе кремния толщиной 2 нанометра, при этом в настоящее время невозможно производить листы кремния такой же толщины, как одноатомные листы молибденита», - говорит ученый. «Однако главное преимущество молибденита – его низкое энергопотребление в режиме ожидания. Транзисторы на его основе потребляют в 100 000 раз меньше энергии в режиме ожидания, чем транзисторы на основе кремния.

По словам ученых, у молибдена оптимальная «запрещенная зона», где могут размещаться электроны. Размещая и убирая электрон в этой зоне, мы контролируем электрическое поведение материала посредством создания логического нуля или единицы. Более того, наличие оптимальной «запрещенной зоны» является одним из преимуществ, благодаря которым молибден может оказаться перспективней графена и кремния при создании микросхем.